9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的BAS21WT-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAS21WT-TP参考价格为0.26000美元。Micro Commercial Co BAS21WT-TP包装/规格：DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT323。您可以下载BAS21WT-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS21W-7-F是DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT323，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SC-70、SOT-323封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SOT-323，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作100nA@200V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.25V@200mA，该器件提供200V电压直流反向Vr Max，该器件具有200mA的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
BAS21WS-TP是DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323，包括1.25V@200MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在250V电压直流反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于SOD-323的供应商设备包，该SOD-323提供速度特性，如小信号=、反向恢复时间trr设计为在50ns内工作，该器件也可以用作SC-76、SOD-323封装盒，其工作温度结范围为-55°C~155°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@200V，电流平均整流Io为200mA（DC），电容Vr F为5pF@0V，1MHz。
BAS21W-7是DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT323，包括5pF@0V、1MHz电容Vr F，设计用于200MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100nA@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件也可用作SC-70、SOT-323封装外壳。此外，包装为切割胶带（CT），该设备以50ns反向恢复时间trr提供，该设备具有小信号=速度，供应商设备包装为SOT-323，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.25V@200mA。
