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1N4007-TP是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41，包括1N40系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.010935盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-41，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.0 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为2us。
1N4007T-G是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41，包括1000 V Vr反向电压，它们设计为在1.1 V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于1000 V（1KV）的电压直流反向Vr Max，提供1.1 V正向电压特性，单位重量设计为0.010935盎司，以及DO-41供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为1N4007，该装置在标准回收整流器产品中提供，该装置具有切割胶带（CT）交替包装，包装箱为DO-204AL、DO-41，轴向，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最大浪涌电流为30A，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@1000V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
1N4007TA是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41，包括15pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@1000V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~125°C，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，包装为切割胶带（CT）替代包装，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有DO-41供应商设备包装，直流反向电压Vr最大值为1000V（1kV），正向电压Vf最大值为1V@1A。
