9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的V10P10HM3_A/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。V10P10HM3_A/I参考价格为0.88000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division V10P10HM3_A/I封装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A。您可以下载V10P10HM3_A/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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V10P10HM3/86A是DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A，包括eSMPR、TMBSR系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，数据表注释中显示了用于to-277、3-PowerDFN的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于to-277A（SMPC），该器件还可以用作肖特基二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为150μA@100V，该器件提供680mV@10A电压正向Vf Max。如果，该器件具有100V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为10A，则其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
V10P10HE3/86A是DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A，包括680mV@10A正向电压Vf Max。如果设计为在100V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-277A（SMPC）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于eSMPR、TMBSR、，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作TO-277、3功率DFN封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为150μa@100V，电流平均整流Io为10A。
V10P10HE3/87A是二极管肖特基100V 10A TO277A，包括10A电流平均整流Io，它们设计为在150μa@100V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-277，3-PowerDFN包装盒，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，该系列为eSMPR、TMBSR，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-277A（SMPC），直流反向电压Vr最大值为100V，正向电压Vf最大值为680mV@10A。
