9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的V12P12HM3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。V12P12HM3_A/H参考价格为0.92000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division V12P12HM3_A/H封装/规格：DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A。您可以下载V12P12HM3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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V12P10-M3/86A是DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A，包括eSMPR、TMBSR系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.003527盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TMBS商品名，该设备也可以用作TO-277、3-PowerDFN封装盒。此外，该技术为Si，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的TO-277A（SMPC），配置为单双阳极，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为250μa@100V，电压正向Vf Max If为700mV@12A，电压DC反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为12A，工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为0.7V，Ir反向电流为250uA，如果正向电流为12A，Vrm重复反向电压为100V，Ifsm正向浪涌电流为200A。
V12P10-M3/87A是DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A，包括100V Vrm重复反向电压，设计用于700mV@12A电压正向Vf Max，如果数据表中显示了100V中使用的电压直流反向Vr Max，提供0.7V等正向电压特性，单位重量设计用于0.003527盎司，以及TMBS商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包装为TO-277A（SMPC），该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有系列eSMPR、TMBSR，产品为肖特基整流器，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为TO-277，3-PowerDFN，其工作温度结范围为-40°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为250 uA，Ifsm正向浪涌电流为200 A，如果正向电流为12 A，二极管类型为肖特基，反向泄漏电流Vr为250μA@100V，平均整流电流Io为12A，配置为单双阳极。
V12P12-E3/86A，带有VISHAY制造的电路图。V12P12-E3/86A采用SMPC封装，是IC芯片的一部分。
