9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的FR30J02，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FR30J02参考价格为16.03000美元。GeneSiC半导体FR30J02封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 30A DO5。您可以下载FR30J02英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FR30DR02是DIODE GEN PURP REV 200V 30A DO5，包括FR30D系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如1.005308盎司，安装样式设计用于螺柱，以及DO-203AB、DO-5螺柱包装箱，该设备也可以用作底盘，螺柱安装安装类型。此外，供应商设备包为DO-5，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有标准二极管型反向极性，电流反向泄漏Vr为25μa@50V，电压正向Vf Max If为1V@30A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为30A，反向恢复时间trr为200ns，其工作温度结范围为-40°C~125°C，Vf正向电压为1.4V，Vr反向电压为200V，Ir反向电流为25uA，If正向电流为30A，最大浪涌电流为300A，恢复时间为200ns。
FR30GR02是DIODE GEN PURP REV 400V 30A DO5，包括400 V Vr反向电压，它们设计为在1V@30A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于400V的电压直流反向Vr Max，提供1.4 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为1.005308盎司，以及DO-5供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为FR30G，该设备提供200ns反向恢复时间trr，该设备具有200ns的恢复时间，产品为快速恢复整流器，包装为散装，包装箱为DO-203AB、DO-5、螺柱，其工作温度接合范围为-40°C~125°C，安装方式为螺柱，安装类型为底盘、螺柱安装，最大浪涌电流为300 A，Ir反向电流为25 uA，如果正向电流为30 A，二极管类型为标准，则反向极性，电流反向泄漏Vr为25μA@50V，电流平均整流Io为30 A。
FR30G02是DIODE GEN PURP 400V 30A DO5，包括30A电流平均整流Io，它们设计为在25μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装，其工作温度结范围为-40°C ~ 125°C，以及DO-203AB、DO-5，螺柱包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为200ns，设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，设备具有DO-5供应商设备包，电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1V@30A。
