9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SE10DJ-M3/I,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SE10DJ-M3/I参考价格为0.95000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SE10DJ-M3/I封装/规格:DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AC。您可以下载SE10DJ-M3/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SE10DGHM3/I,带引脚细节,包括Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列,它们设计用于标准回收整流器产品,包装如数据表注释所示,用于Digi-ReelR替代包装,提供单位重量功能,如0.019048盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及eSMP商品名,它的工作温度范围为-55 C至+175 C。此外,封装外壳为to-263-3,D2Pak(2引线+接线片)变体,该器件为表面安装安装型,该器件具有供应商器件封装的to-263AC(SMPD),配置为单一,速度为标准恢复>500ns,>200mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为15μA@400V,电压正向Vf Max If为1.15V@10A,电压直流反向Vr Max为400V,电流平均整流Io为3A,反向恢复时间trr为3μs,电容Vr F为67pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C,最大工作温度范围为+175 C,它的最小工作温度范围为-55℃,Vf正向电压为1.04 V,Vr反向电压为400 V,Ir反向电流为15 uA,If正向电流为10 A,最大浪涌电流为110 A,恢复时间为3 us。
带有用户指南的SE10DJHM3/I,包括600 V Vr反向电压,它们设计为在1.15V@10A正向电压Vf Max下工作。如果数据表备注中显示了用于600V的直流反向电压Vr Max,提供1.04 V等Vf正向电压功能,单位重量设计为0.019048盎司,以及eSMP商品名,该设备也可以用作TO-263AC(SMPD)供应商设备包。此外,速度为标准恢复>500ns,>200mA(Io),该设备提供Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列,该设备具有3μs的反向恢复时间trr,恢复时间为3 us,产品为标准恢复整流器,包装为Digi-ReelR替代包装,包装箱为TO-263-3、D2Pak(2引线+标签)变体,它的工作温度范围为-55℃至+175℃,工作温度结范围为-555℃~175℃,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,最小工作温度范围是-55℃,最大浪涌电流为110 A,最大工作温度范围+175 C,Ir反向电流为15 uA,如果正向电流为10A,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为15μA@600V,电流平均整流Io为3A,配置为单,电容Vr F为67pF@4V,1MHz。
带有电路图的SE10DG-M3/I,包括67pF@4V、1MHz电容Vr F,它们设计用于3A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于15μa@400V,提供标准等二极管类型功能,安装类型设计用于表面安装,其工作温度结范围为-55°C~175°C,该设备也可以用作TO-263-3、D2Pak(2引线+标签)变型包装盒。此外,包装为Digi-ReelR替代包装,该设备提供3μs反向恢复时间trr,该设备具有Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列,速度为标准恢复>500ns、>200mA(Io),供应商设备包装为TO-263AC(SMPD),电压直流反向Vr Max为400V,电压正向Vf Max If为1.15V@10A。