9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N5553US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5553美国参考价格10.76000美元。Microchip Technology 1N5553US包装/规格：DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF。您可以下载1N5553US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5552是DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL，包括标准回收整流器产品，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于轴向，其工作温度范围为-65 C至+175 C，包装箱设计用于B、轴向以及通孔安装型，该设备也可以用作单一配置。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该器件为标准二极管型，该器件在600V时具有1μa的反向漏电Vr，正向电压Vf Max If为1.2V@9A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为3A，反向恢复时间trr为2μs，其工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-65℃，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为60 uA，如果正向电流为5 A，最大浪涌电流为150 A，恢复时间为2 us。
1N5553是DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL，包括800V Vr反向电压，它们设计为在1.2V@9A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了800V中使用的电压DC反向Vr Max，其提供Vf正向电压功能，如1 V，速度设计为在标准恢复>500ns，>200mA（Io）以及2μs反向恢复时间trr下工作，该设备也可以用作2 us恢复时间。此外，该产品为标准回收整流器，该装置为散装包装，该装置具有B轴包装箱，其工作温度范围为-65℃至+175℃，工作温度连接范围为-65℃至175℃，安装方式为轴向，安装类型为通孔，其最低工作温度范围是-65℃，最大浪涌电流为150 A，其最大工作温度范围为+175 C，Ir反向电流为60 uA，如果正向电流为5 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μA@800V，电流平均整流Io为3A，配置为单一。
1N5552US是DIODE GEN PURP 600V 3A D5B，包括3A电流平均整流Io，设计用于在1μa@600V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，安装类型设计用于SMD/SMT，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该装置也可用作SQ-MELF、B包装箱。此外，包装为散装，器件提供2μs反向恢复时间trr，器件的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商器件包装为D-5B，电压DC反向Vr Max为600V，电压正向Vf Max If为1.2V@9A。
