9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VB20150SG-E3/4W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VB20150SG-E3/4W价格参考1.38000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VB20150SG-E3/4W封装/规格：DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO263AB。您可以下载VB20150SG-E3/4W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VB20150S-E3/8W是DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO263AB，包括TMBSR系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.048678盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TMBS商品名，该设备也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒。此外，该技术为Si，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的TO-263AB，配置为单一，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为250μa@150V，电压正向Vf Max If为1.43V@20A，电压反向Vr Max为150V，电流平均整流Io为20A，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.43 V，Ir反向电流为250 uA，如果正向电流为20 A，Vrm重复反向电压为150 V，Ifsm正向浪涌电流为160A。
VB20150S-E3/4W是DIODE SCHOTKY 150V 20A TO263AB，包括150 V Vrm重复反向电压，它们设计为在1.43V@20A电压正向Vf Max下工作。如果数据表中显示了用于150V的电压直流反向Vr Max，它提供了1.43 V等正向电压特性，单位重量设计为0.048678盎司，以及TMBS商标，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包装为TO-263AB，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有系列TMBSR，产品为肖特基整流器，包装为管交替包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为250 uA，Ifsm正向浪涌电流为160 A，如果正向电流为20 A，二极管类型为肖特基，反向泄漏电流Vr为250μA@150V，平均整流电流Io为20A，配置为单一。
VB20150C-M3/8W，带有Vishay制造的电路图。是二极管、整流器-单个的一部分，并支持“肖特基二极管和整流器20A、二极管阵列1对公共阴极肖特基150V 10A表面安装TO-263-3、D？Pak（2引线+接线片）、TO-263AB、二极管肖特基150W 20A 3-Pin（2+Tab）TO-263AB/R、肖特基二极管与整流器20A，150V、TRENCH SKY RECT。。
