9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N5819UR-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N5819UR-1参考价格22.70000美元。Microchip Technology JATXV1N5819UR-1包装/规格：SCHOTTKY。您可以下载JATXV1N5819UR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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JATXV1N5811US是DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF，包括军用MIL-PRF-19500/477系列，它们设计用于散装包装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如SQ-MELF、B，安装类型设计用于表面安装，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供5μA@150V电流反向泄漏Vr，该器件具有875mV@4A电压正向Vf Max If，电压直流反向Vr Max为150V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为60pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
JATXV1N5814是DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA，包括950mV@20A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V直流反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了DO-203AA（DO-4）中使用的供应商设备包，该DO-203A提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，以及35ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-203AA、DO-4、螺柱，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有底座、螺柱安装式安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电流平均整流Io为20A，电容Vr F为300pF@10V，1MHz。
JATXV1N5819-1是二极管肖特基45V 1A DO41，包括70pF@5V，1MHz电容Vr F，设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于50μa@45V，提供肖特基等二极管类型功能，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~125°C，该设备也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，包装为散装，该设备为军用MIL-PRF-19500/586系列，该设备速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为DO-41，直流反向电压Vr Max为45V，正向电压Vf Max If为490mV@1A。
