9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的SCS208MC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SCS208AMC参考价格$4.26000。Rohm Semiconductor SCS208AMC封装/规格：DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220FM。您可以下载SCS208AMC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SCS208AGC是二极管肖特基650V 8A TO220AC，包括SCS208AG系列，它们设计用于肖特基碳化硅二极管产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-220-2封装盒，该器件也可以用作SiC技术。此外，安装类型为通孔，该器件在TO-220AC供应商器件包中提供，该器件具有双共阴极配置，速度为无恢复时间>500mA（Io），二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为160μa@600V，电压正向Vf Max If为1.55V@8A，电压反向Vr Max为650V，电流平均整流Io为8A（DC），反向恢复时间trr为0ns，电容Vr F为291pF@1V，1MHz，工作温度结范围为175°C（最大值），Pd功耗为68 W，最大工作温度范围为+175 C，Vf正向电压为1.35 V，Vr反向电压为650 V，并且Ir反向电流是160uA，并且如果正向电流是8A，并且Vrm重复反向电压是650V，并且Ifsm正向浪涌电流是31A，并且trr反向恢复时间是13ns。
SCS206AJTLL是DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO263AB，包括650 V Vrm重复反向电压，它们设计为在1.55V@6A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于650V的直流反向Vr Max，提供SiC等技术特性。供应商设备包设计为在to-263AB中工作，以及无恢复时间>500mA（Io）速度，该设备也可以用作SCS206AJ系列。此外，反向恢复时间trr为0ns，该器件采用肖特基碳化硅二极管产品，该器件具有48W的Pd功耗，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结域为175°C（最大值），安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为120 uA，Ifsm正向浪涌电流为24 A，Ifs正向电流为6 A，二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为120μA@600V，电流平均整流Io为6A（DC），配置为双公共阴极，电容Vr F为219pF@1V，1MHz。
SCS208AJLL是二极管肖特基650V 8A TO263AB，包括291pF@1V，1MHz电容Vr F，它们设计用于双共阴极配置，电流平均整流Io如数据表注释所示，用于8A（DC），提供电流反向泄漏Vr特性，如160μa@600V，二极管类型设计用于碳化硅肖特基，该器件还可以用作31 A Ifsm正向浪涌电流。此外，Ir反向电流为160 uA，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，安装类型为表面安装，安装类型是SMD/SMT，工作温度结范围为175°C（最大值），封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB、，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为62W，产品为肖特基碳化硅二极管，反向恢复时间trr为0ns，系列为SCS208AJ，速度为无恢复时间>500mA（Io），供应商设备封装为TO-263AB，技术为SiC，电压DC反向Vr Max为650V，电压正向Vf Max If为1.55V@8A，Vrm重复反向电压为650V。
SCS206AMC具有EDA/CAD模型，包括管封装，它们设计为与to-220FM供应商设备包一起工作，数据表说明中显示了to-220-2全封装中使用的封装盒，该封装盒提供了安装类型的功能，如通孔，二极管类型设计为在碳化硅肖特基中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件还可以用作6A电流平均整流Io。此外，电压DC反向Vr Max为650V，该器件提供219pF@1V，1MHz电容Vr F，其工作温度结范围为175°C（最大值），电流反向泄漏Vr为120μA@600V，电压正向Vf Max If为1.55V@6A，反向恢复时间trr为0ns。
