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RB521G-30T2R是二极管肖特基30V 100MA VMD2，包括RB521G-30系列，它们设计用于肖特基二极管产品，数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代封装的封装，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于2-SMD、扁平引线以及Si技术，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为VMD2，该设备为单配置，该设备具有小信号=速度，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为10μa@10V，电压正向Vf Max If为350mV@10mA，电压反向Vr Max为30V，电流平均整流Io为100mA，它的工作温度结范围为125°C（最大值），最大工作温度范围为+125°C，最小工作温度范围-40°C，Vf正向电压在0.01 A时为0.35 V，Ir反向电流在10 V时为10 uA，如果正向电流为0.1 A，Vrm重复反向电压为30 V，Ifsm正向浪涌电流为0.5 A。
RB521G-30-TP是DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SOD723，包括30V Vrm重复反向电压，它们设计为在350mV@10mA电压正向Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于30V的电压直流反向Vr Max，其提供了0.35V等Vf正向电压特性，技术设计用于Si，以及SOD-723供应商设备包，该设备也可以用作小信号＝速度。此外，该系列为RB521G，该器件采用肖特基二极管产品，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SOD-723，其工作温度结范围为125°C（最大值），安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，Ir反向电流为10 uA，Ifsm正向浪涌电流为1 a，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为10μA@10V，电流平均整流Io为100mA，配置为单一。
RB521S 30 C，电路图由JCET制造。RB521S 30 C采用SOD-523封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
RB521S 30 S4，带EDA/CAD型号RB521S 30S4采用SOT-523封装，是IC芯片的一部分。
