9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的US1MHM2G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。US1MHM2G参考价格为0.07843美元。台湾半导体公司US1MHM2G封装/规格：DIODE GEN PURP 1A DO214AC。您可以下载US1MHM2G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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US1MFA是DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FA，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品。数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，该包装提供SMD/SMT等安装样式功能，其工作温度范围为-55 C至+150 C，以及SOD-123W封装盒，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SOD-123FA，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.7V@1A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为75ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为1.7 V，Vr反向电压为1 kV，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为75ns。
US1MF带有SK制造的用户指南。US1MF采用SMAF封装，是IC芯片的一部分。
US1M-F，带有LITEON制造的电路图。US1M-F采用DO-214AC封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
US1MHE3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。US1MHE3采用DO-214AC封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
