9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计和生产的BAS21JF，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。BAS21JF参考价格为0.03740美元。Nexperia USA Inc.BAS21JF封装/规格：二极管GEN PURP 300V 250MA SC90。您可以下载BAS21JF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS21J，115是DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD323，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SC-90、SOD-323F封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SOD-323F，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件也可以用作150nA@250V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.1V@100mA，该器件提供300V电压直流反向Vr Max，该器件具有250mA（DC）的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为150°C（最大值）。
BAS21HT1G是DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323，包括1.25V@200MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在250V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOD-323的供应商设备包，该SOD-323提供速度特性，如小信号=、反向恢复时间trr设计为在50ns内工作，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作SC-76、SOD-323封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@200V，电流平均整流Io为200mA（DC），并且电容Vr F在0V、1MHz时为5pF。
BAS21HT1H，带有LRC制造的电路图。BAS21HT1H采用SOD323封装，是IC芯片的一部分。
BAS21J和NXP制造的EDA/CAD模型。BAS21J采用SOD323封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
