9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的1N4004GHR0G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4004GHR0G参考价格$0.04956。台湾半导体公司1N4004GHR0G封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL。您可以下载1N4004GHR0G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4003-TP是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括1N40系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.010935盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-41，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.0V，Vr反向电压为200V，Ir反向电流为5uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为2us。
1N4003T-G是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括1.1V@1A正向电压Vf Max。如果设计为在200V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-41的供应商设备包，该DO-41提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。该系列设计用于1N4003，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备为通孔安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
带电路图的1N4003W A3 1N4003V A3在SOD-123FL封装中提供，是IC芯片的一部分。
1N4004，采用DIODE制造的EDA/CAD模型。1N4004采用SMAF封装，是IC芯片、二极管标准400V 1A通孔DO-41、二极管400V 1A 2引脚DO-41和整流器Vr/400V Io/1A T/R的一部分。
