9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS2FN6HM3/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS2FN6HM3/H参考价格$0.07877。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS2FN6HM3/H封装/规格：DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO219AB。您可以下载SS2FN6HM3/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS2P4HM3/84A是DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO220AA，包括eSMPR系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.000847盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-220AA包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-220AA（SMP）供应商设备包中提供，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为150μa@40V，电压正向Vf Max If为550mV@2A，电压直流反向Vr Max为40V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为110pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，Vf正向电压为0.55V，Vrm重复反向电压为40V，Ifsm正向浪涌电流为50A。
SS2P4HM3/85A是DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO220AA，包括40V Vrm重复反向电压，它们设计为在550mV@2A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于40V的电压直流反向Vr Max，其提供了0.55 V等Vf正向电压特性，该设备也可以用作DO-220AA（SMP）供应商设备包。此外，速度为快速恢复=200mA（Io），该设备为eSMPR系列，该设备具有肖特基整流器产品，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-220AA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，Ifsm正向浪涌电流为50 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为150μA@40V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为110pF@4V，1MHz。
SS2P4HE3/84A是二极管肖特基40V 2A DO220AA，包括2A电流平均整流Io，它们设计为在150μa@40V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及DO-220AA封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，该系列为eSMPR，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有供应商设备包的DO-220AA（SMP），直流反向电压Vr最大值为40V，正向电压Vf最大值为550mV@2A。
SS2P4HE3/85A是二极管肖特基40V 2A DO220AA，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于表面安装安装型，二极管类型如数据表说明所示，用于肖特基，提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，系列设计用于eSMPR，以及DO-220AA（SMP）供应商设备包，该装置也可用作DO-220AA包装盒。此外，正向电压Vf Max If为550mV@2A，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，器件具有40V的反向电压Vr Max，平均整流电流Io为2A，反向电流泄漏Vr为150μa@40V。
