9icnet为您提供由SMC二极管解决方案设计和生产的ES1E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES1E价格参考$0.04980。SMC二极管解决方案ES1E封装/规格：Diode GEN PURP 300V 1A SMA。您可以下载ES1E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ES1D-TP是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC，包括ES1系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.00739盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AC，SMA包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AC（HSMA），该设备为单配置，设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为975mV@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，工作温度结范围为-50°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-50 C，Vf正向电压为0.975 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为50ns。
ES1DTR是DIODE GEN PURP 200V 1A SMA，包括950mV@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表中显示了SMA（DO-214AC）中使用的供应商设备包，该SMA提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为35ns，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为45pF@4V，1MHz。
ES1DW，电路图由PANJIT/VISHAY制造。ES1DW采用SOD-123FL封装，是IC芯片的一部分。
