9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RS1A-M3/61T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RS1A-M3/61T参考价格$0.07075。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RS1A-M3/61T封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC。您可以下载RS1A-M3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RS1AHE3_A/I，带有引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，数据表注释中显示了用于DO-214AC、SMA的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在DO-214AA（SMA）中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@50V，该器件提供1.3V@1A电压正向Vf Max。如果，该器件具有50V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的RS1A-M3/5AT，包括1.3V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如快速恢复=20mA（Io），反向恢复时间trr设计为150ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F在4V、1MHz时为10pF。
RS1AL是1.0 Amp 50 Volt 150ns整流器，包括单一配置，其设计工作电流为0.8 a。如果正向电流、Ir反向电流如数据表注释所示，用于5 uA，其最大工作温度范围为+150 C，最大浪涌电流设计工作温度为30 a，其最小工作温度范围是-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，包装箱为SMA-2，该设备采用卷筒包装，该设备具有R3部分别名，产品为快速恢复整流器，恢复时间为150纳秒，在1A时Vf正向电压为1.3 V，Vr反向电压为50 V。
