9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N5552，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2012年1月1日价格参考4.95000美元。Microchip Technology JAN1N5552包装/规格：DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL。您可以下载JAN1N5552英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N5551是DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL，包括军用MIL-PRF-19500/420系列，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供B、轴向等包装箱功能，安装类型设计用于通孔以及标准恢复>500ns、>200mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@400V，设备提供1.2V@9A电压正向Vf Max。如果，设备具有400V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为2μs，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JAN1N55550US带有用户指南，其中包括1.2V@9A电压正向Vf Max，如果设计用于200V电压直流反向Vr Max，供应商设备包如数据表注释所示，用于D-5B，提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/420，以及2μs反向恢复时间trr，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为SQ-MELF，B，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电流平均整流Io为3A。
JAN1N5551US带有电路图，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在1μa@400V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该装置也可用作SQ-MELF、B包装箱。此外，包装为散装，该设备以2μs反向恢复时间trr提供，该设备具有军用MIL-PRF-19500/420系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为D-5B，电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.2V@9A。
