9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RS1G-M3/61T,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。RS1G-M3/61T参考价格$0.07075。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RS1G-M3/61T封装/规格:DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC。您可以下载RS1G-M3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RS1GHE3_A/I是DIODE FAST REC 400V 1A DO214AC,包括Automotive、AEC-Q101系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)交替包装包装,数据表注释中显示了用于DO-214AC、SMA的包装盒,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于DO-214A C(SMA),以及快速恢复=20mA(Io)速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为5μA@400V,该设备提供1.3V@1A电压正向Vf Max。如果,该设备具有400V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为150ns,电容Vr F为10pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的RS1G-M3/5AT,包括1.3V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-214AC(SMA)的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度功能,反向恢复时间trr设计为150ns,除了磁带和卷轴(TR)交替包装包装外,该设备还可以用作DO-214AC、SMA包装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该设备为表面安装型,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为5μa@400V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F在4V、1MHz时为10pF。
RS1GL是红外墙壁开关传感器,包括单一配置,它们设计为在0.8 a下工作。如果数据表注释中显示了用于5 uA的正向电流、Ir反向电流,它的最大工作温度范围为+150 C,最大浪涌电流设计为在30 a下工作,它的最小工作温度范围是-55 C,该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外,包装箱为SMA-2,该设备采用卷筒包装,该设备具有R3部分别名,产品为快速恢复整流器,恢复时间为150纳秒,在1A时Vf正向电压为1.3 V,Vr反向电压为400 V。