9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的ES1CE-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES1CE-TP参考价格为0.07920美元。Micro Commercial Co ES1CE-TP包装/规格：DIODE GEN PURP 150V 1A SMAE。您可以下载ES1CE-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如ES1CE-TP价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
ES1C-E3/5AT是DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC，包括ES1x系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如ES1C-E3/61T，单位重量设计为0.00739盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-214AC（SMA）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，电压正向Vf Max If为920mV@1A，电压直流反向Vr Max为150V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为920 mV，Vr反向电压为150 V，并且Ir反向电流为5uA，并且如果正向电流为1A，则最大浪涌电流为30A，并且恢复时间为35ns。
ES1C-E3/61T是DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC，包括150 V Vr反向电压，它们设计为以920mV@1A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于150V的电压直流反向Vr Max，提供920 mV等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.003739盎司，以及DO-214AC（SMA）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为ES1x，该设备提供25ns反向恢复时间trr，该设备具有35ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，零件别名为ES1C-E3/5AT，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@150V，电流平均整流Io为1A，配置为单，电容Vr F为10pF@4V，1MHz。
ES1C-13-F是DIODE GEN PURP 150V 1A SMA，包括10pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了1A中使用的电流平均整流Io，其提供电流反向泄漏Vr特性，如5μa@150V，二极管类型设计为标准工作，以及1 a如果正向电流，该器件也可以用作5 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+150℃，该器件提供30 A最大浪涌电流，其最小工作温度范围是-65℃，安装类型为表面安装，安装类型是SMD/SMT，其工作温度结范围为-55℃~150℃，封装外壳为DO-214AC，SMA，包装为Digi-ReelR交替包装，产品为超快恢复整流器，恢复时间为25ns，反向恢复时间trr为25ns；系列为ES1C，速度为快速恢复=20mA（Io）；供应商设备包装为SMA，单位重量为0.002258盎司，Vf正向电压为920mV，电压DC反向Vr Max为150V，电压正向Vf Max If为920mV@1A，Vr反向电压为150V。
ES1C-A40具有EDA/CAD型号，包括温度探头产品，它们设计用于红外温度检测器描述功能，安装方式如数据表注释所示，用于电缆，提供工作电源电流功能，如70 mA，工作电源电压设计用于24 V，以及0 C至+400 C温度范围，该装置也可以用作+/-1%的PV精度。
