9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的BAS321Z，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。BAS321Z价格参考$0.02475。Nexperia USA Inc.BAS321Z包装/规格：DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323。您可以下载BAS321Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS321是DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SC-76、SOD-323包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供PG-SOD323-2等供应商设备包装功能，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件也可以用作100nA@200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@200mA，该器件提供200V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有250mA（DC）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为150°C（最大值）。
BAS321135是DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323，包括1.25V@200mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOD-323的供应商设备包，该SOD-323提供快速恢复=200mA（Io）、反向恢复时间trr设计为50ns，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作SC-76、SOD-323封装盒，其工作温度结范围为150°C（最大值），该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@200V，电流平均整流Io为250mA（DC），电容Vr F为2pF@0V，1MHz。
BAS321/DG，带有NXP制造的电路图。BAS321/DG采用SOD323封装，是IC芯片的一部分。
BAS321+115，NXP制造的EDA/CAD模型。BAS321+115在SOD323封装中提供，是IC芯片的一部分。
