9icnet为您提供由Comchip Technology设计和生产的1N4003B-G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4003B-G价格参考$0.04047。Comchip Technology 1N4003B-G封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO41。您可以下载1N4003B-G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4003是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括标准回收整流器产品，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了R0中使用的零件别名，R0提供单位重量功能，例如0.008642盎司，安装类型设计用于通孔，其工作温度范围为-55 C至+175 C，该装置也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，设备在DO-41供应商设备包中提供，设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，Pd功耗为3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1V，Vr反向电压为200V，Ir反向电流为5uA，If正向电流为1A，最大浪涌电流为30A。
1N4003-B是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了200V中使用的电压DC反向Vr Max，提供1.1 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.010935盎司，以及DO-41供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该产品为标准回收整流器，该装置采用散装包装，该装置具有DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，其工作温度结范围为-65°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔。其最低工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为30 a，它的最大工作温度范围为+150 C，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，电流平均整流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
1N4003/54，带电路图，包括15pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该装置也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，包装为切割胶带（CT），该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有DO-204AL（DO-41）供应商设备包，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A。
