9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的LL4154-GS18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。LL4154-GS18参考价格为0.02640美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division LL4154-GS18封装/规格：DIODE GEN PURP 35V 300MA SOD80。您可以下载LL4154-GS18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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LL4154-GS08是DIODE GEN PURP 35V 300MA SOD80，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计用于SOD-80 MiniMELF，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为100nA@25V，该器件提供1V@30mA电压正向Vf Max。如果，该器件具有35V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为300mA，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为4pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
带有用户指南的LL4151-M-18，包括1V@50mA电压正向Vf Max。如果设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SOD-80 MiniMELF中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及4ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80，其工作温度结范围为175°C（最大值），器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为50nA@50V，电流平均整流Io为300mA，电容Vr F为2pF@0V，1MHz。
带有电路图的LL4154-7，包括150mA电流平均整流Io，它们设计为在100nA@25V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80封装盒，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为4ns，设备以小信号=速度提供，设备具有供应商设备包的迷你MELF，电压DC反向Vr Max为25V，电压正向Vf Max If为1V@30mA。
