9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S1D-M3/5AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1D-M3/5AT参考价格$0.05082。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S1D-M3/5AT封装/规格：DIODE GPP 1A 200V DO-214AC。您可以下载S1D-M3/5AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如S1D-M3/5AT价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
S1D是DIODE GEN PURP 200V 1A SMA，包括标准回收整流器产品，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，数据表注释中显示了用于S1D_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.00739盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及DO-214AC SMA包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SMA（DO-214AC），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为1.8μs，电容Vr F为12pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，Pd功耗为1.4W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1V，Vr反向电压为200V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为40 A，恢复时间为1.8 us。
带有用户指南的S1D/1，包括1.1V@1A电压正向Vf Max，如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-214AC（SMA），提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为1.8μs，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为12pF@4V，1MHz。
S1C-M3/61T是VISHAY制造的DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC。S1C-M3/61T采用DO-214AC SMA封装，是二极管、整流器-单体的一部分，支持二极管GEN PURP 150V 1A DO214AC。
S1D F3，带有TSC制造的EDA/CAD模型。S1D F3采用SMA封装，是IC芯片的一部分。
