9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的LS4151-GS18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。LS4151-GS18参考价格为0.02772美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division LS4151-GS18封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 300MA SOD80。您可以下载LS4151-GS18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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LS4151GS08是DIODE GEN PURP 50V 300MA SOD80，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，数据表说明中显示了用于SOD-80变体的包装盒，该变体提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SOD-80QuadroMELF，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为50nA@50V，该器件提供1V@50mA电压正向Vf Max。如果，该器件具有50V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为300mA，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
LS4150GS18是DIODE GEN PURP 50V 600MA SOD80，包括1V@200mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOD-80 QuadroMELF的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，以及4ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为SOD-80变体，其工作温度结范围为175°C（最大值），器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为100nA@50V，电流平均整流Io为600mA，电容Vr F为2.5pF@0V，1MHz。
LS4151，带有VISHAY制造的电路图。LS4151采用SOD80封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
