9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAS86-GS18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAS86-GS18参考价格$4.44000。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAS86-GS18封装/规格：DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80。您可以下载BAS86-GS18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS86-GS08是DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80，包括汽车AEC-Q101系列，设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.001827盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备采用SOD-80 MiniMELF供应商设备包提供，该设备具有单一配置，速度为小信号=，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为5μa@40V，电压正向Vf Max If为900mV@100mA，电压反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为200mA，反向恢复时间trr为5ns，电容Vr F为8pF@1V，1MHz，其工作温度结范围为125°C（最大值），其最大工作温度范围为+125 C，其最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压在0.1 A时为0.9 V，Ir反向电流在40 V时为5 uA，如果正向电流为0.2 A，Vrm重复反向电压为50V，trr反向恢复时间为5ns。
BAS86115是DIODE SCHOTTKY 50V 200MA LLDS，包括900mV@100mA电压正向Vf Max。如果设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表注释中显示了用于LLDS的供应商设备包；MiniMelf，提供速度特性，如小信号=、反向恢复时间trr，设计为在4ns内工作，以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可以用作DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80包装盒，其工作温度结范围为125°C（最大值），该设备提供表面安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为5μa@40V，电流平均整流Io为200mA（DC），电容Vr F为8pF@1V，1MHz。
BAS86，带有NXP制造的电路图。BAS86采用LL34封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
