9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAS385-TR3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BAS385-TR3参考价格为0.45000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAS385-TR3封装/规格:DIODE SCHOTTKY 30V 200MA MICMELF。您可以下载BAS385-TR3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS383-TR是二极管肖特基60V 30MA MICROMLF,包括汽车AEC-Q101系列,它们设计用于肖特基二极管产品,包装如数据表注释所示,用于磁带和卷轴(TR)替代包装,提供单位重量功能,如0.000423盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及2-SMD,无引线封装盒,该器件也可以用作Si技术。此外,安装类型为表面安装,该设备在MicroMELF供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,速度为小信号=,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为200nA@60V,电压正向Vf Max If为1V@15mA,电压直流反向Vr Max为60V,电流平均整流Io为30mA,电容Vr F为1.6pF@1V,1MHz,其工作温度结范围为125°C(最大),其最大工作温度范围为+125 C,其最小工作温度范围是-65 C,在0.015 A时Vf正向电压为1 V,Ir反向电流为0.2 uA,如果正向电流为0.03 A,Vrm重复反向电压为60 V,Ifsm正向浪涌电流为0.5A。
BAS383-TR3是DIODE SCHOTTKY 60V 30MA MICROMLF,包括60V Vrm重复反向电压,它们设计为以1V@15mA电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了60V中使用的电压直流反向Vr Max,它提供了0.015 a时的1V正向电压特性,单位重量设计为0.000423盎司,以及Si技术,该设备也可以用作MicroMELF供应商设备包。此外,速度为小信号=,该设备在汽车AEC-Q101系列中提供,该设备具有肖特基二极管产品,包装为胶带和卷轴(TR)交替包装,包装箱为2-SMD,无引线,其工作温度结范围为125°C(最大值),安装样式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,其最小工作温度范围为-65℃,最大工作温度范围+125℃,Ir反向电流为0.2 uA,Ifsm正向浪涌电流为0.5 A,Ifs正向电流为0.03 A,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为200nA@60V,电流平均整流Io为30mA,配置为单一,电容Vr F为1.6pF@1V,1MHz。
BAS385-TR是二极管肖特基30V 200MA MICMELF,包括10pF@1V,1MHz电容Vr F,它们设计用于单配置,电流平均整流Io如数据表注释所示,用于200MA,提供电流反向泄漏Vr特性,如2.3μa@25V,二极管类型设计用于肖特基,以及0.2 a如果正向电流,该器件也可以用作5A Ifsm正向浪涌电流。此外,Ir反向电流为2.3 uA,其最大工作温度范围为+125 C,最小工作温度范围是-65 C,安装类型为表面安装,安装类型是SMD/SMT,其工作温度结范围为125°C(最大值),封装外壳为2-SMD,无引线,封装为Digi-ReelR交替封装,产品为肖特基二极管,系列为BASxx,速度为小信号=,供应商器件封装为MicroMELF,技术为Si,单位重量为0.000423 oz,Vf正向电压为0.8V,0.1A时,电压DC反向Vr Max为30V,电压正向Vf Max If为800mV@100mA,Vrm重复反向电压为30V。