9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAV200-GS08,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BAV200-GS08参考价格为0.02917美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAV200-GS08封装/规格:DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80。您可以下载BAV200-GS08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAV20143是DIODE GEN PURP 150V 250MA ALF2,包括磁带盒(TB)替代包装包装,它们设计用于DO-204AH、DO-35轴向包装箱,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,提供供应商设备包装功能,如ALF2,速度设计用于快速恢复=20mA(Io),与标准二极管类型一样,该器件也可以用作100nA@150V电流反向泄漏Vr。此外,正向电压Vf Max If为1.25V@200mA,该器件提供150V电压DC反向电压Vr Max,该器件具有250mA(DC)电流平均整流Io,反向恢复时间trr为50ns,电容Vr F为5pF@0V,1MHz,其工作温度结范围为175°C(最大值)。
带用户指南的BAV20_T50R,包括1.25V@200mA电压正向Vf Max,如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行,则DO-35中使用的数据表说明中显示了供应商设备包,该设备提供了小信号=、反向恢复时间trr等速度特性,设计为50ns,以及磁带和卷轴(TR)封装,该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳,其工作温度结范围为175°C(最大值),该器件为通孔安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为100nA@200V,电流平均整流Io为200mA,电容Vr F为5pF@0V,1MHz。
BAV20_T50A带电路图,包括5pF@0V、1MHz电容Vr F,它们设计用于200mA电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于100nA@200V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于通孔,其工作温度结范围为175°C(最大值),该装置也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向包装箱。此外,包装为磁带盒(TB),设备提供50ns反向恢复时间trr,设备具有小信号=速度,供应商设备包装为DO-35,电压DC反向Vr Max为200V,电压正向Vf Max If为1.25V@200mA。