9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的US1GHM2G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。美国1GHM2G参考价格为0.08610美元。台湾半导体公司US1GHM2G封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC。您可以下载US1GHM2G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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US1GFA，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品。数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，该包装提供SMD/SMT等安装方式功能，其工作温度范围为-55 C至+150 C，以及SOD-123W包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SOD-123FA，该设备为单配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为20pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为400V，Ir反向电流为5uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为50ns。
US1G-E3/61T是DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC，包括400 V Vr反向电压，它们设计为在1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于400V的电压直流反向Vr Max，该400V提供1 V正向电压特性，单位重量设计为0.003739盎司，以及DO-214AC（SMA）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为US1x，该设备提供50ns反向恢复时间trr，该设备具有50ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，零件别名为US1G-E3/5AT，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@400V，电流平均整流Io为1A，配置为单，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
US1GF，电路图由东芝/VISHAY制造。US1GF采用SMAF封装，是IC芯片的一部分。
具有FITEON制造的EDA/CAD模型的US1G-F。US1G-F采用SMA封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
