9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的S1B-LTP,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。S1B-LTP价格参考0.06325美元。Micro Commercial Co S1B-LTP包装/规格:DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AA。您可以下载S1B-LTP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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S1BHE3_A/H,带有引脚细节,包括S1B系列,它们设计为与磁带和卷轴(TR)交替包装包装一起工作,数据表注释中显示了用于DO-214AC、SMA的包装箱,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计为在DO-214AA(SMA)中工作,以及标准恢复>500ns、>200mA(Io)速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为1μA@100V,该器件提供1.1V@1A电压正向Vf Max If,该器件具有100V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为1.8μs,电容Vr F为12pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
S1BHE3_A/I带有用户指南,包括1.1V@1A电压正向Vf Max,如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了DO-214AC(SMA)中使用的供应商设备包,该设备提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),该系列设计用于S1B,以及1.8μs反向恢复时间trr,该设备也可以用作胶带和卷筒(TR)替代包装包装。此外,封装外壳为DO-214AC,SMA,其工作温度结范围为-55°C~150°C,器件具有安装型表面安装,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为1μa@100V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为12pF@4V,1MHz。
S1BHE3/61T是DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC,包括1A电流平均整流Io,它们设计为在100V电流反向泄漏Vr下工作1μa,二极管类型如数据表注释所示,可用于标准中,该标准提供安装类型功能,如表面安装,其工作温度结范围为-55°C~150°C,以及DO-214AC,SMA包装盒,该设备也可以用作胶带和卷轴(TR)包装。此外,反向恢复时间trr为1.8μs,该设备的标准恢复时间>500ns,速度>200mA(Io),该设备具有供应商设备包的DO-214AC(SMA),电压DC反向Vr Max为100V,电压正向Vf Max If为1.1V@1A。
S1BL是整流器1A 100V,包括标准恢复整流器产品,它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作,数据表说明中显示了用于SMA-Sub-2的封装盒,该SMA-Sub2提供了单体等配置功能,封装设计为在卷筒中工作,以及R3部件别名,该设备也可以用作5 uA Ir反向电流。此外,最大浪涌电流为30 A,设备提供100 V Vr反向电压,设备恢复时间为1.5 us,Vf正向电压为1.1 V,如果正向电流为1 A,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C。