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PMEG410AESBYL,带有引脚细节,包括肖特基整流器产品,它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作,安装样式如数据表注释所示,用于SMD/SMT,提供封装盒功能,如2-XDFN,技术设计为在Si中工作,以及表面安装安装类型,该设备也可以用作DSN1006-2供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备提供快速恢复=200mA(Io)速度,该设备具有二极管型肖特基,电流反向泄漏Vr为1250μa@40V,电压正向Vf Max If为505mV@1A,电压直流反向Vr Max为40V,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为3.1ns,电容Vr F为75pF@1V,1MHz,工作温度结范围为150°C(最大值),Pd功耗为1.78 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vf正向电压为435 mV,Vr反向电压为40 V,Ir反向电流为325 uA,如果正向电流为1 A,Vrm重复反向电压为40V,Ifsm正向浪涌电流为10A,trr反向恢复时间为3.1ns。
PMEG4010BEA,115是DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323,包括640mV@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在40V直流反向电压Vr Max下工作,则数据表说明中显示了用于SOD-323的供应商设备包,该SOD-323提供快速恢复=20mA(Io)等速度功能,SOD-323封装盒,其工作温度结范围为150°C(最大值)。此外,安装类型为表面安装,该器件为肖特基二极管类型,该器件具有100μa@40V的反向电流泄漏Vr,平均整流电流Io为1A(DC),电容Vr F为50pF@1V,1MHz。
PMEG410AESBZ带电路图,包括22pF@10V、1MHz电容Vr F,它们设计用于1A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于1.25mA@40V,提供肖特基等二极管型功能,安装型设计用于表面安装,其工作温度结范围为150°C(最大值),该设备也可以用作2-XDFN封装盒。此外,包装为磁带和卷轴(TR),设备提供3.1ns反向恢复时间trr,设备速度快速恢复=20mA(Io),供应商设备包装为DSN1006-2,电压DC反向Vr Max为40V,电压正向Vf Max If为505mV@1A。