9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MPG06B-E3/54,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。MPG06B-E3/54参考价格为0.08184美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MPG06B-E3/54包装/规格:DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06。您可以下载MPG06B-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MPG06B-E3/100是DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06,包括Automotive、AEC-Q101系列,它们设计用于标准回收整流器产品,包装如数据表说明所示,用于磁带盒(TB),提供单位重量功能,如0.007125盎司,安装样式设计用于通孔,以及MPG06轴向包装箱,该装置也可以用作通孔安装型。此外,供应商设备包为MPG06,该设备为单配置,该设备的标准恢复时间>500ns,速度>200mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μa@100V,电压正向Vf Max If为1.1V@1A,电压直流反向Vr Max为100V,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为600ns,电容Vr F为10pF@4V,1MHz,工作温度结范围为-55°C~150°C,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vf正向电压为1.1 V,Vr反向电压为100 V,Ir反向电流为5 uA,如果正向电流为1A,最大浪涌电流为40A,恢复时间为600ns。
MPG06B-E3/53是DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06,包括1.1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于MPG06的供应商设备包,该MPG06提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),以及600ns反向恢复时间trr,该设备还可以用作磁带盒(TB)封装。此外,封装外壳为MPG06,轴向,其工作温度结范围为-55°C~150°C,装置具有安装型通孔,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为5μa@100V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为10pF@4V,1MHz。
MPG06AHE3_A/54,带电路图,包括10pF@4V、1MHz电容Vr F,它们设计用于1A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于5μA@50V,提供标准等二极管类型功能,安装类型设计用于通孔,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C,该装置也可用作MPG06轴向包装箱。此外,包装为磁带和卷轴(TR),设备提供600ns反向恢复时间trr,设备的标准恢复时间>500ns,速度>200mA(Io),供应商设备包装为MPG06,电压DC反向Vr Max为50V,电压正向Vf Max If为1.1V@1A。