9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的S1ML，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。S1ML参考价格为0.50000美元。台湾半导体公司S1ML封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA。您可以下载S1ML英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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S1MHE3_A/H，带有引脚细节，包括S1M系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于胶带和卷轴（TR）替代包装，其工作温度范围为-55 C至+150 C，包装箱设计用于DO-214AC、SMA以及表面安装型，该设备也可以用作DO-214AC（SMA）供应商设备包。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@1000V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为1.8μs，电容Vr F为12pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为1 kV，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为1.8 us。
S1MHE3_A/I带有用户指南，包括1 kV Vr反向电压，它们设计为在1.1 V@1A电压正向Vf Max下运行。如果数据表注释中显示了用于1000V（1kV）的直流反向Vr Max，提供1.1 V等Vf正向电压功能，供应商设备包设计为在DO-214AC（SMA）下运行，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作S1M系列。此外，反向恢复时间trr为1.8μs，该设备的恢复时间为1.8 us，该设备具有产品标准恢复整流器，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-214AC，SMA，其工作温度范围为-55 C至+150 C，其工作温度结范围为-555°C至150°C，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@1000V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为12pF@4V，1MHz。
S1MHE3/61T是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在1000V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及DO-214AC，SMA包装盒，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为1.8μs，该设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），该设备具有供应商设备包的DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为1000V（1kV），电压正向Vf Max If为1.1V@1A。
