9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAV20W-G3-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAV20W-G3-08参考价格$0.04245。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAV20W-G3-08封装/规格：DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123。您可以下载BAV20W-G3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BAV20WS-HE3-08，带引脚细节，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于SC-76、SOD-323，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在SOD-323中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为100nA@150V，器件提供1.25V@200mA电压正向Vf Max。如果，器件具有150V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为250mA（DC），反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为1.5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为150°C（Max）。
BAV20WS-HE3-18带有用户指南，包括1.25V@200mA正向电压Vf Max。如果设计为在150V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SOD-323中使用的供应商设备包，该产品提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及50ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为SC-76、SOD-323，其工作温度结范围为150°C（最大值），器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为100nA@150V，电流平均整流Io为250mA（DC），电容Vr F为1.5pF@0V，1MHz。
BAV20WS-TP是DIODE GEN PURP 150V 200MA SOD323，包括1.5pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于200MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100nA@150V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件也可用作SC-76、SOD-323封装外壳。此外，该封装为Digi-ReelR交替封装，该器件以50ns反向恢复时间trr提供，该器件具有小信号=速度，供应商器件封装为SOD-323，电压DC反向Vr Max为150V，电压正向Vf Max If为1.25V@200mA。
BAV20WSTR具有EDA/CAD型号，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于表面安装安装型，二极管类型显示在数据表注释中，用于标准，该标准提供供应商设备封装功能，如SOD-323，速度设计用于小信号=，以及SC-90、SOD-323F封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~150°C。此外，电容Vr F在0V、1MHz时为5pF，器件的反向恢复时间为50ns，器件的平均电流Io为200mA，正向电压Vf Max If为1V@100mA，直流反向电压Vr Max为150V，反向电流泄漏Vr为100nA@150V。
