9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SA2G-M3/5AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SA2G-M3/5AT参考价格为0.07445美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SA2G-M3/5AT封装/规格：DIODE GPP 2A 400V DO-214AC。您可以下载SA2G-M3/5AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SA2D-M3/5AT，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计为与DO-214AC、SMA包装箱一起操作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如DO-214AA（SMA），速度设计为在标准恢复>500ns、>200mA（Io）以及标准二极管类型下工作，该器件还可以用作3μA@200V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.1V@2A，该器件提供200V电压直流反向Vr Max，该器件具有2A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为1.5μs，电容Vr F为11pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
SA2D-M3/61T和用户指南，包括1.1V@2A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-214AC（SMA）中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为1.5μs，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为3μa@200V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为11pF@4V，1MHz。
SA2DM01X，带有SA制造的电路图。SA2DM01X以QFN封装形式提供，是IC芯片的一部分。
