9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N5418，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N5418参考价格$6.02000。Microchip Technology JATX1N5418包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL。您可以下载JATX1N5418英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的东西，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如JATX1N5418价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
JATX1N5417是DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL，包括军用MIL-PRF-19500/411系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，具有通孔等安装方式特征，其工作温度范围为-65 C至+175 C，以及B，轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，速度快恢复=200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件在200V时电流反向泄漏Vr为1μa，电压正向Vf Max If为1.5V@9A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为150ns，其工作温度结范围为-65°C~175°C，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.5 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为3 A，最大浪涌电流为80 A，恢复时间为150 ns。
JATX1N5416US是DIODE GEN PURP 100V 3A D5B，包括1.5V@9A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于D-5B的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/411，以及150ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为SQ-MELF，B，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μa@100V，电流平均整流Io为3A。
JATX1N5417US是DIODE GEN PURP 200V 3A D5B，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作1μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，该标准提供安装类型功能，如表面安装，安装类型设计用于SMD/SMT，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件也可用作SQ-MELF，B封装盒。此外，包装为散装，设备提供150ns反向恢复时间trr，设备具有军用MIL-PRF-19500/411系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为D-5B，直流反向电压Vr最大值为200V，正向电压Vf最大值为1.5V@9A。
