9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N5809，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N5809参考价格为7.12000美元。Microchip Technology JATX1N5809包装/规格：DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL。您可以下载JATX1N5809英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N5807US是DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF，包括军用MIL-PRF-19500/477系列，它们设计用于散装包装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如SQ-MELF、B，安装类型设计用于表面安装，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供5μA@50V电流反向泄漏Vr，该器件具有875mV@4A电压正向Vf Max If，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为60pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
JANTX1N5807是DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL，包括875mV@4A电压正向Vf Max。如果它们设计为在50V电压直流反向Vr Max下工作，速度如数据表注释所示，用于快速恢复=20mA（Io），提供军用、MIL-PRF-19500/477等系列功能，反向恢复时间trr设计为在30ns内工作，该器件也可以用作B，轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件采用通孔安装方式，该器件具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为60pF@10V，1MHz。
带有电路图的JATX1N5807URS，包括60pF@10V、1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，以及SMD/SMT安装类型，该装置也可用作SQ-MELF、B包装箱。此外，包装为散装，设备提供30ns反向恢复时间trr，设备具有军用MIL-PRF-19500/477系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为B，SQ-MELF，电压直流反向Vr最大值为50V，电压正向Vf最大值为875mV@4A。
