9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N5819UR-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1999年1月1日UR-1参考价格：8.12000美元。Microchip Technology JAN1N5819UR-1包装/规格：DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB。您可以下载JAN1N5819UR-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N5816是DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA，包括军用MIL-PRF-19500/478系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于DO-203AA、DO-4、螺柱的包装盒，提供安装类型功能，如底盘、螺柱安装，供应商设备包设计用于DO-203A（DO-4），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@150V，该器件提供950mV@20A电压正向Vf Max。如果，该器件具有150V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为20A，反向恢复时间trr为35ns，电容Vr F为300pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JAN1N5814是DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA，包括950mV@20A电压正向Vf Max。如果它们设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-203AA（DO-4），提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为35ns，以及散装包装，该装置也可作为DO-203AA、DO-4、螺柱封装外壳使用，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该装置为底盘螺柱安装型，该装置具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电流平均整流Io为20A，电容Vr F为300pF@10V，1MHz。
带有电路图的JAN1N5819-1，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在50μa@45V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供安装型功能，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~150°C，以及DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，该系列为军用MIL-PRF-19500/586，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有DO-41供应商设备包，直流反向电压Vr最大值为45V，正向电压Vf最大值为490mV@1A。
