9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MPG06GHE3_A/100，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MPG06GHE3_A/100参考价格0.13497美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MPG06GHE3_A/100包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1A MPG06。您可以下载MPG06GHE3_A/100英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MPG06GHE3_A/54，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，设计用于MPG06，轴向包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如MPG06、速度设计用于标准恢复＞500ns、＞200mA（Io）以及标准二极管类型，该器件也可以用作5μA@400V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，该设备提供400V电压直流反向Vr Max，该设备具有1A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为600ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
MPG06GHE3_A/53，带有用户指南，包括1.1V@1A正向电压Vf Max，如果设计为在400V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于MPG06的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及600ns反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带盒（TB）封装。此外，封装外壳为MPG06，轴向，其工作温度结范围为-55°C~150°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@4V，1MHz。
MPG06GHE3_A/100，带电路图，包括10pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μA@400V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-55°C~150°C，该装置也可作为MPG06轴向封装外壳使用。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备提供600ns反向恢复时间trr，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为MPG06，电压DC反向Vr最大值为400V，电压正向Vf最大值为1.1V@1A。
