9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的EGL34AHE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EGL34AHE3_A/H参考价格为0.13596美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division EGL34AHE3_A/H封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA。您可以下载EGL34AHE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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EGL34A-E3/83是DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.001199盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-213AA（玻璃）封装盒，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-213AA（GL34），该设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电压正向Vf Max If为1.25V@500mA，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为500mA，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为7pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.25 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为500mA，最大浪涌电流为10A，恢复时间为50ns。
EGL34A-E3/98是DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA，包括50 V Vr反向电压，它们设计为在1.25 V@500 mA电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于50V的电压直流反向Vr Max，提供1.25 V正向电压功能，单位重量设计为在0.001199盎司，以及DO-213AA（GL34）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为SUPERCTIFIERR，该设备提供50ns反向恢复时间trr，该设备具有50ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-213AA（玻璃），其工作温度结合范围为-65°C~175°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为10 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为500 mA，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为5μA@50V，平均整流电流Io为500 mA，配置为单一。
EGL1M是DIOTEC制造的二极管开关1KV 1A汽车2针迷你MELF T/R。EGL1M采用DO213AA封装，是IC芯片的一部分，支持二极管开关1KV 1A汽车2针迷你MELF T/R。
EGL34A是GS制造的二极管开关50V 0.5A汽车用2针迷你MELF T/R。EGL34A采用LL34封装，是二极管、整流器-单体的一部分，支持二极管开关50V0.5A汽车2针迷你MELF T/R。
