9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的EGL34DHE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EGL34DHE3_A/H参考价格为0.13596美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division EGL34DHE3_A/H封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213。您可以下载EGL34DHE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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EGL34D-E3/98是DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.001199盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-213AA（玻璃）包装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-213AA（GL34），该设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1.25V@500mA，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为500mA，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为7pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.25 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为500mA，最大浪涌电流为10A，恢复时间为50ns。
EGL34D-E3/83是DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1.25V@500MA电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于200V的电压直流反向Vr Max，其提供了1.25 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.001199盎司，以及DO-213AA（GL34）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复=20mA（Io）速度。此外，该系列为SUPERCTIFIERR，该设备提供50ns反向恢复时间trr，该设备具有50ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，包装为胶带和卷轴（TR），包装箱为DO-213AA（玻璃），其工作温度结区范围为-65°C~175°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为10 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为500 mA，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，电流平均整流Io为500 mA，并且配置为Single，电容Vr F为7pF@4V，1MHz。
EGL34D/1是DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213，包括7pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于500MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，该设备也可以用作DO-213AA（玻璃）包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备以50ns反向恢复时间trr提供，该设备具有系列的SUPERECTIERR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-213AA（GL34），电压DC反向Vr最大值为200V，电压正向Vf最大值为1.25V@500mA。
EGL34D是VISHAY公司生产的200V 0.5A汽车用2针微型MELF T/R二极管开关。EGL34D采用LL34封装，是二极管、整流器-单体的一部分，支持二极管开关200V 0.5A汽车2针迷你MELF T/R。
