9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SE20FDHM3/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SE20FDHM3/H参考价格为0.10577美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SE20FDHM3/H封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1.7A DO219AB。您可以下载SE20FDHM3/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SE20DJHM3/I，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.019048盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及eSMP商品名，它的工作温度范围为-55 C至+175 C。此外，封装外壳为to-263-3，D2Pak（2引线+接线片）变体，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的to-263AC（SMPD），配置为单一，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为25μA@600V，电压正向Vf Max If为1.2V@20A，电压反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为3.9A，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为150pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C，最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围为-55℃，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为25 uA，If正向电流为20 A，最大浪涌电流为150 A，恢复时间为3 us。
带有用户指南的SE20DJ-M3/I，包括1.2V@20A电压正向Vf Max。如果它们设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-263AC（SMPD）的供应商设备包，该产品提供标准恢复>500ns、>200mA（Io）等速度特性。该系列设计用于汽车、AEC-Q101、eSMPR、，以及3μs反向恢复时间trr，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装。此外，封装外壳为TO-263-3，D2Pak（2引线+接线片）变体，其工作温度结范围为-55°C~175°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为25μa@600V，电流平均整流Io为3.9A，电容Vr F为150pF@4V，1MHz。
带有电路图的SE20FDHM3/H，包括13pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计为在1.7A电流平均整流Io下工作，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计为在表面安装中工作，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作DO-219AB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备提供920ns反向恢复时间trr，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包装为DO-219AB（SMF），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.1V@2A。
