9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GL41THE3/96，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GL41THE3/96参考价格为0.13640美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GL41THE3/96包装/规格：DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB。您可以下载GL41THE3/96英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GL41T-E3/96是DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于胶带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.004762盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-213AB，MELF（玻璃）包装盒，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-213AB，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@1300V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压直流反向Vr Max为1300V（1.3kV），电流平均整流Io为1A，电容Vr F为8pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为1300 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30A。
GL41T-E3/97是DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB，包括1300 V Vr反向电压，它们设计为以1.2V@1A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于1300V（1.3KV）的电压直流反向Vr Max，提供1.2 V正向电压功能，单位重量设计为0.004762盎司，以及DO-213AB供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为SUPERCTIFIERR，该设备为标准回收整流器产品，该设备具有胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-213AB，MELF（玻璃），其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为10μA@1300V，电流平均整流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为8pF@4V，1MHz。
GL41T-E3/1是DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB，包括8pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@1300V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，该设备也可以用作DO-213AB、MELF（玻璃）包装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备为SUPERECTIFIERR系列，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为DO-213AB，直流反向电压Vr最大值为1300V（1.3kV），正向电压Vf最大值为1.2V@1A。
