9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES1A-M3/61T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES1A-M3/61T参考价格为0.10065美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES1A-M3/61T封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC。您可以下载ES1A-M3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ES1A-LTP是DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC，包括ES1系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.00739盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AC、SMA包装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AC（SMA），该设备以单配置提供，该设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电压正向Vf Max If为950mV@1A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为35ns，工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+150℃，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A。
带有用户指南的ES1A-M3/5AT，包括920mV@1A电压正向Vf Max。如果设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为25ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F在4V、1MHz时为10pF。
ES1AL是整流器1A 50V，包括单一配置，它们设计为在1 a下工作。如果数据表注释中显示了5 uA下使用的正向电流、Ir反向电流，其最大工作温度范围为+150 C，最大浪涌电流设计为在30 a下工作，其最小工作温度范围是-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，包装箱为SMA-2，该设备采用卷筒包装，该设备具有部件别名R3，产品为超快恢复整流器，恢复时间为35ns，Vf正向电压为0.95V，Vr反向电压为50V。
