9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES1C-M3/61T,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。ES1C-M3/61T参考价格为0.10065美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES1C-M3/61T封装/规格:DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC。您可以下载ES1C-M3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如ES1C-M3/61T价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
ES1CHE3_A/I,带有引脚细节,包括汽车AEC-Q101系列,它们设计为使用磁带和卷轴(TR)交替包装包装,数据表注释中显示了用于DO-214AC、SMA的包装箱,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计为在DO-214AA(SMA)中工作,以及快速恢复=20mA(Io)速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为5μA@150V,该器件提供920mV@1A电压正向Vf Max。如果,该器件具有150V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为25ns,电容Vr F为10pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的ES1C-M3/5AT,包括920mV@1A电压正向Vf Max。如果设计为在150V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-214AC(SMA)的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,反向恢复时间trr设计为25ns,除了磁带和卷轴(TR)交替包装包装外,该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为5μa@150V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F在4V、1MHz时为10pF。
ES1CL是TSC制造的HOLDER LUXEON EMITTER STAR 1W CL。ES1CL采用SOD123包装,是配件的一部分,并支持HOLDER LUXEON EMITTER STAR 1W CL。