9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VSSA3L6S-M3/61T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VSSA3L6S-M3/61T参考价格为0.13640美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VSSA3L6S-M3/61T封装/规格：DIODE SCHOTTKY 60V 2.5A DO214AC。您可以下载VSSA3L6S-M3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VSSA36S-M3/61T是DIODE SCHOTTKY 60V 2.4A DO214AC，包括TMBSR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起使用，数据表说明中显示了用于DO-214AC、SMA的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在DO-214AA（SMA）中工作，该器件还可以用作肖特基二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为900μA@60V，该器件提供630mV@3A电压正向Vf Max If，该器件具有60V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为2.4A，电容Vr F为245pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带用户指南的VSSA3L6S-M3/5AT，包括580mV@3A正向电压Vf Max，如果设计为在60V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于TMBSR，以及磁带和卷轴（TR）替代包装，该器件也可用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为1.5mA@60V，电流平均整流Io为2.5A，电容Vr F为395pF@4V，1MHz。
VSSA3L6S-E3/61T，带有VISHAY制造的电路图。VSSA3L6S-E3/61T采用SMA封装，是IC芯片的一部分。
