9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UG1B-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UG1B-E3/73参考价格为0.10079美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UG1B-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL。您可以下载UG1B-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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UG1B-E3/54是DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL，包括超快恢复整流器产品，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011711盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向、，该设备也可以用作DO-204AL（DO-41）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为950mV@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为25ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为0.95 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为40 A，恢复时间为35 ns。
UG1A-M3/73带有用户指南，包括950mV@1A正向电压Vf Max。如果设计为在50V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-204AL（DO-41）中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为25ns，除了磁带盒（TB）替代封装外，该器件还可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为7pF@4V，1MHz。
UG1B，电路图由VISHAY制造。UG1B采用DO-41封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
