9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的US1A-E3/61T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。US1A-E3/61T参考价格为0.46000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division US1A-E3/61T封装/规格：DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC。您可以下载US1A-E3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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US1A-E3/5AT是DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC，包括US1x系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供零件别名功能，如US1A-E3/61T，单位重量设计为0.003739盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-214AC（SMA）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，电压正向Vf Max If为1V@1A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为50ns。
US1AB-13-F，带有DIODES制造的用户指南。US1AB-13-F采用DO-214AA封装，是IC芯片的一部分。
US1A-E3，带有VISHAY制造的电路图。US1A-E3采用DO-214AC（SMA）封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
