9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MPG06BHE3_A/53，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MPG06BHE3_A/53参考价格为0.14867美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MPG06BHE3_A/53包装/规格：DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06。您可以下载MPG06BHE3_A/53英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MPG06B-E3/54是DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06，包括标准回收整流器产品，它们设计为使用胶带和卷轴（TR）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.007125盎司，具有通孔等安装方式特征，包装箱设计用于MPG06、轴向、，以及通孔安装类型，该设备也可以用作MPG06供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为600ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为40 A，恢复时间为600ns。
MPG06B-E3/73是DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06，包括100V Vr反向电压，它们设计为在1.1V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于100V的直流反向Vr Max，该100V提供了1.1 V的正向电压特性，单位重量设计为0.007125盎司，以及MPG06供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为600ns，该设备以600ns恢复时间提供，该设备具有产品标准恢复整流器，包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为MPG06，轴向，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为40 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@100V，电流平均整流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为10pF@4V，1MHz。
MPG06B-E3/100是DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06，包括10pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置操作，数据表说明中显示了用于1A的电流平均整流Io，该1A提供电流反向泄漏Vr特性，例如5μa@100V，二极管类型设计用于标准工作，该装置也可作为5 uA Ir反向电流使用，其最大工作温度范围为+150℃，该装置的最大浪涌电流为40 A，其最小工作温度范围是-55℃，安装类型为通孔，安装方式为通孔，包装为磁带盒（TB），产品为标准恢复整流器，恢复时间为600ns，反向恢复时间trr为600ns；系列为汽车AEC-Q101，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包装为MPG06，单位重量为0.007125oz，Vf正向电压为1.1V，电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，Vr反向电压为100V。
MPG06B-E3/53是DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06，包括通孔安装型，它们设计用于磁带盒（TB）封装，速度如数据表注释所示，用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），提供二极管型功能，如标准，封装盒设计用于MPG06、轴向以及MPG06供应商设备封装，该设备也可以用作汽车、AEC-Q101系列。此外，反向恢复时间trr为600ns，该器件提供5μA@100V电流反向泄漏Vr，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，电压直流反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A。
