9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MPG06G-E3/100，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MPG06G-E3/100参考价格为0.14867美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MPG06G-E3/100包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1A MPG06。您可以下载MPG06G-E3/100英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MPG06DHE3_A/54，带有引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计为与MPG06一起操作，轴向包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如MPG06，速度设计为在标准恢复>500ns，>200mA（Io）以及标准二极管类型下工作，该器件还可以用作5μA@200V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，该器件提供200V电压直流反向Vr Max，该器件具有1A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为600ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的MPG06DHE3_A/73，包括1.1V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于MPG06的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为600ns，除了磁带盒（TB）替代封装外，该器件还可以用作MPG06轴向封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F在4V、1MHz时为10pF。
MPG06DHE3_A/53，带电路图，包括10pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μA@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-55°C~150°C，该装置也可作为MPG06轴向封装外壳使用。此外，包装为磁带盒（TB），该设备提供600ns反向恢复时间trr，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为MPG06，电压DC反向Vr最大值为200V，电压正向Vf最大值为1.1V@1A。
